高アスペクト比の細長い孔をハードマスクによって形成（続き）

3D NANDフラッシュメモリの断面構造図と、「高アスペクト比（HAR：High Aspect Ratio）のパターン形成部分」（橙色の実線で囲んだ部分、上方は拡大図）。左端は周辺回路のゲートに対するコンタクト、その右がステアケースの制御ゲートに対するコンタクト、中央はメモリセルストリング用のチャンネル（メモリスルーホール）、右端はメモリセルのゲート形成用スリット。出典：Applied Materials（クリックで拡大）