化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み（後編）

シリコン基板に「アスペクト比トラッピング」を利用して試作したInGaAs/GaAs分布帰還（DFB）型レーザーの構造。左の写真は、四分の一波長（λ/4）位相シフト構造の電子顕微鏡観察画像。電子ビームリソグラフィとプラズマエッチングによってλ/4シフト構造を形成している。右の図面は、DFBレーザーの鳥瞰図。反射鏡の回折格子（中央から左寄り）と、光結合用の回折格子（右寄り）をGaAs光導波路に形成している。出典：imec（クリックで拡大）