化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み（前編）

「アスペクト比トラッピング（Aspect Ratio Trapping）」を利用してInGaAsの量子井戸半導体レーザーをシリコン基板から直接、製造。左は構造図。中央は製造した半導体レーザーの断面を電子顕微鏡で観察した画像。左は発光モードのシミュレーション結果。出典：imec（クリックで拡大）