2D NANDフラッシュと3D NANDフラッシュのセルアレイ構造

2D NANDフラッシュのメモリセルアレイ構造。略語はWLがワード線、BLがビット線、SGDがセレクタゲートドレイン、SGSがセレクタゲートソース。出典：Applied Materials