2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM（後編）

1Mビットのメモリセルアレイにおけるデータ保持特性（スタックB）。グラフの横軸は温度の逆数（左が高温側）、縦軸は不良率が1ppmに達するまでの時間（対数目盛り）である。プロットは温度を240℃、250℃、260℃の高温条件で加速試験を実施した結果。加速試験の結果から、設計目標である125℃で10年間のデータ保持期間を確保できると推定した。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）