2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編) 2xnm世代のCMOSロジック製造技術で試作した埋め込みマクロ。左上はシリコンダイの詳しいレイアウト。左下はシリコンダイ写真。右の表は設計仕様。出典:GLOBALFOUNDRIES(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan