磁気トンネル接合（MTJ）におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い

磁気トンネル接合（MTJ）スタックのデータ書き換え電圧（シュムープロット）。書き換え電圧のパルス幅は50ナノ秒、電圧の単位は任意。プロットの横軸は反平行（AP）状態から平行（P）状態に書き換える電圧、プロットの縦軸は平行（P）状態から反平行（AP）状態に書き換える電圧。グラフ中で赤色の部分が書き込み不良が発生している範囲、濃い青色の部分が書き込み不良がゼロの範囲を示す。出典：GLOBALFOUNDRIES（クリックで拡大）