パワエレで力を付ける中国、SiCで目立つ地元企業の台頭 左=6インチの3D SiCウエハー/右=4インチ3D SiCウエハーで製造した1200VのMOSFET(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan