ありふれた元素で窒化物半導体を開発、高性能化を実現

左上はNH3/O2ガスを用いた銅の直接窒化法とその応用原理、左下は第一原理計算による予測、右上はCu3N：Fの原子マッピング像、右下は直接窒化法で作製したp型とn型Cu3N薄膜の移動度とキャリア濃度のグラフ （クリックで拡大） 出典：東京工業大学、NIMS