多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術（後編）

多層配線工程の中に記憶素子を作り込む埋め込み不揮発性メモリ技術の候補。左から磁気抵抗メモリ（MRAM）、相変化メモリ（PCM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）