非接触心拍センサーから7nmプロセスまで、VLSIの今 IBMとFraunhofer IAFが発表する絶縁膜上InGaAs MOSFET技術(クリックで拡大) 出典:VLSIシンポジウム委員会 記事に戻る 松本貴志,EE Times Japan