マイコン大手Infineon Technologiesの埋め込みフラッシュメモリ技術

HS3P技術によるメモリセルトランジスタの断面を電子顕微鏡で観察した画像。左が65nm技術、右が40nm技術によるもの 出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）