マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術

データ格納用埋め込みフラッシュメモリの書き換えサイクル特性。170℃と高い温度環境にもかかわらず、100万サイクルの書き換えを実現できている。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）