埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術

ESF3技術で作成したメモリセルの微細化(上)と製造プロセス工程(下)。赤字の部分が埋め込みフラッシュメモリのために追加される工程。出典:STMicroelectronics(クリックで拡大)

ESF3技術で作成したメモリセルの微細化(上)と製造プロセス工程(下)。赤字の部分が埋め込みフラッシュメモリのために追加される工程。出典:STMicroelectronics(クリックで拡大)