量子トンネルFETを酸化物半導体とSi系材料で実現

ZnOチャンネル／Siソース トンネル接合界面近傍の素子構造（左下）と、試作された素子の断面透過電子顕微鏡像（上および、右下） （クリックで拡大） 出典：東京大学／科学技術振興機構