まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム

二酸化ハフニウムあるいは二酸化ジルコニウムを使った不揮発性メモリの主な特性一覧。左端は、強誘電体の従来材料であるPZTを使った不揮発性メモリ製品の特性。その他は、研究レベルでの特性である。Fraunhofer Institute、ドレスデン工科大学（TU Dresden）、NaMLabなどの発表資料を基に筆者がまとめた（クリックで拡大）