「不揮発性DRAM」へのアプローチ（後編）

試作した3次元キャパシターのデータ保持特性（計算値）。左はZAZ構造の厚みと動作電圧の関係。8nm前後の厚みがあれば、100年以上のデータ保持期間を実現できる。右は10年間のデータ保持期間を達成可能な厚みと最大動作電圧の関係。膜厚が8.5nm、最大動作電圧が±1.5Vの条件で、10年のデータ保持期間を達成できる。出典：NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが2016年12月に国際学会IEDMで発表した資料から（クリックで拡大）