反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法 反強誘電体薄膜の内部に電界バイアスを与えることで、外部電界がゼロの位置(緑色の垂直な線)を左にシフトさせる。出典:NaMLabおよびドレスデン工科大学(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan