二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（後編）

二酸化ハフニウム系FeFETの長期信頼性。左はデータ保持期間。室温（25℃）であれば、10年の保存期間を確保できる。右は書き換えサイクル寿命。10の3乗サイクル〜10の4乗サイクルで、劣化が起きている。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）