二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（後編）

SBT（タンタル酸ビスマス酸ストロンチウム）ベースのFeFET（表中の左列）と二酸化ハフニウムベースのFeFET（表中の右列）の主な特性。右の図は、最小加工寸法を30nmと仮定した場合に両方のFeFETのゲート構造とゲート高さを描いた図。二酸化ハフニウムベースのFeFETはゲートが極めて薄いことが分かる。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）