二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）

二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ（FeFET）の構造（左）と、FeFETの物理寸法の推移（右）。左はペロブスカイト系FeFETと二酸化ハフニウム系FeFETで、アスペクト比の違いを示したもの。右は物理寸法の縮小化の推移を西暦年とともにグラフ化したもの。番号の1番と2番はペロブスカイト系材料、3番と今回の成果（this work）は二酸化ハフニウム系材料のFeFETである。出典：Fraunhofer Center Nanoelectronic Technologies、NaMLab、GLOBALFOUNDRIESが2012年6月のVLSIシンポジウムで共同発表した資料から（クリックで拡大）