二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）

二酸化ハフニウム薄膜を使った世界で初めての強誘電体トランジスタ（FeFET）。左は断面構造の電子顕微鏡観察写真。上はデータ保持特性。右は電流電圧特性。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）