新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道

二酸化ハフニウム（HfO2）の強誘電体キャパシターを作製する手順の一例。シリコン基板に下部電極の窒化チタン（TiN）を成膜し、それから二酸化ハフニウムを成膜する。そして上部電極の窒化チタン薄膜を堆積する。熱処理をしてから取り出し、電極となる白金（Pt）薄膜ドットを最上部に形成する。そして白金をマスクとして上部電極の窒化チタンをエッチングする。出典：NaMLab（クリックで拡大）