新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見

東京大学工学部の鳥海明教授を中心とする研究チームが2006年に、二酸化ハフニウムにシリコンを添加すると極めて高い誘電率を示すことを発見した。後にこの高い誘電率は、強誘電性の発現によるものであることが明らかになった。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）