強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の基本動作

読み出し動作の実際。左は等価回路図。中央は読み出し動作におけるビット線電圧の変化。右は微細化に伴う、安定な読み出し動作に必要な分極量の変化。130nm世代に比べると、45nm世代では単位面積当たりの分極量を4倍強に増やす必要がある。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）