強誘電体メモリ研究の歴史（後編）〜1990年代以降の強誘電体メモリ

中期（第2世代）の強誘電体メモリ。左は「1T1C」方式のメモリセルの断面図と回路図。右は記憶容量が4Kビットの強誘電体不揮発性メモリのシリコンダイ写真。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）