強誘電体メモリ研究の歴史（前編）〜1950年代の強誘電体メモリ

初期（第1世代）の強誘電体メモリ。左は強誘電体による不揮発性メモリ考案したダドレイ・アレン・バック（Dudley Allen Buck）。中央は強誘電体キャパシターを記憶素子とするクロスポイント構造メモリのアイデアスケッチ（ベル電話研究所）。右は試作された強誘電体メモリの外観。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）