ルネサス、65nmSOTBで低消費/高速の内蔵SRAM 基板バイアスを動的に制御することで、高速読み出し時間と低消費電力を両立 (クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan