ルネサス、65nmSOTBで低消費/高速の内蔵SRAM SOTB技術によるトランジスタ構造および、バルク構造のトランジスタとのしきい値ばらつきの比較 (クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 馬本隆綱,EE Times Japan