SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術（前編）

セル選択素子（セレクタ）の候補技術。研究開発の主力は3端子のトランジスタ技術ではなく、2端子のスイッチ技術である。出典：SanDisk（クリックで拡大）