SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択 セル選択素子(セレクタ)の候補技術。研究開発の主力は3端子のトランジスタではなく、2端子のセレクタにある。出典:SanDisk(クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan