SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択

メモリセルアレイとメモリセルの選択。左上は1本のワード線に接続された1024個のメモリセルが選択される様子。1023番のメモリセル（右端のメモリセル）が選択されている。左下はワード線とビット線によってm行m列のマトリクスから特定のメモリセル（「SEL」とあるセル）を指定する様子。隣接するメモリセル（「WLHS」「BLHS」とあるセル）にも電圧が加わるため、別の電流経路（スニーク・パス）が生じることがある。出典：SanDisk（クリックで拡大）