SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化

スイッチング原理の違いによる、抵抗値変化の違い。左は既出のOXRAM。書き込み電流は50μA。右はVMCO（Vacancy-Modulated Conductive Oxide） RAM。書き込み電流が10μAと低くなっているにもかかわらず、抵抗値の変化が小さい。出典：SanDisk（クリックで拡大）