SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化

読み出し電流の経時変化とメモリセルのばらつき。左はOXRAM、右はCBRAM。いずれも読み出し電流が低いセルだと、経時変化が大きくなる傾向がある。出典：SanDisk（クリックで拡大）