ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発

フィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリセルの動作特性（その2）。I-V特性を見ると、赤い点で示されているフィン構造では、電流が急峻にオン・オフされていることが分かる。つまり、高速な書き込み／消去が可能ということだ（クリックで拡大） 出典：ルネサス