ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発 フィン構造のSG-MONOSフラッシュメモリセルの動作特性(その1)。従来(=フィンのないプレーナ構造)のSG-MONOSフラッシュメモリセルに比べて、動作特性が改善されたという(クリックで拡大) 出典:ルネサス 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan