新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功 産総研が作製したトンネルFETによるリング型発振回路の光学顕微鏡写真(上)、模式図(下)と出力特性(右) (クリックで拡大) 出典:産業技術総合研究所 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan