SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成

CMOSのバックエンドプロセス（BEOL、金属配線工程）に抵抗変化メモリの金属や金属酸化物、電解質などとして組み込める元素 （クリックで拡大） 出典：SanDisk