「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(前編)

配線抵抗(R)と配線容量(C)が回路性能に与える影響。図中のCPPはContacted Poly Pitchの略。imecの講演スライドから(クリックで拡大)

配線抵抗(R)と配線容量(C)が回路性能に与える影響。図中のCPPはContacted Poly Pitchの略。imecの講演スライドから(クリックで拡大)