「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（Applied Materials編）

コンタクト抵抗の増加と抑制。コンタクトを埋める金属をタングステン（W）からコバルト（Co）に変更することで、コンタクト抵抗の増加を抑える。Applied Materialsの講演スライドから（クリックで拡大）