0.5nsで書き換え可能な不揮発性メモリの動作実証

無磁場での磁化反転動作のための素子構造。記録層の楕円長軸方向をチャンネル層の長手方向に対して角度θだけ傾斜させることで無磁場動作を実現。（b）θ＝0°、（c）−15°、（d）＋15°の素子における垂直磁場が−10,0,＋10mTを印加した状態での磁気トンネル接合抵抗の印加電流密度依存性。θ＝0°のときは無磁場で磁化が反転していないのに対して、−15°,＋15°のときは磁化が反転している （クリックで拡大） 出典：東北大学