STT-MRAMの概要と応用の可能性

STT-MRAMの概要。左上は記憶素子である磁気トンネル接合の読み出し原理図（なお、この図は誤り（低抵抗と高抵抗が逆）だとみられる）。左下はメモリセルの断面構造図。右上はメモリセルアレイの構造図。右下はスピン注入による磁化反転の説明図（クリックで拡大） 出典：CNRS