高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来

Si-MOSFET（Qrr=1000nC, 100A/マイクロ秒）【＝左】とGaN-HEMT（40nC, 450A/マイクロ秒）【＝右】での逆回復時間／電流の比較グラフ （クリックで拡大）