ルネサス 90nm BCDプロセス混載可能なフラッシュ 試作チップを用いたTj=175℃環境での書き換え耐性測定結果を示すグラフ (クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan