ルネサス 90nm BCDプロセス混載可能なフラッシュ 読み出し時にメモリセル選択ゲートへの正電圧印加を不要にするアレイアーキテクチャ技術の概要 (クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan