ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(4)〜「パーシャルフィールド」への対処

フルフィールドとパーシャルフィールド。左側はフルフィールド(上)とパーシャルフィールド(下)で充てん時間を1秒としたときにレジストが充てんされる様子(実際の講演は動画が埋め込まれていた)。右側は直径300mmのシリコン・ウエハー全体にインプリント技術でパターンを転写した後に撮影した写真(クリックで拡大)

フルフィールドとパーシャルフィールド。左側はフルフィールド(上)とパーシャルフィールド(下)で充てん時間を1秒としたときにレジストが充てんされる様子(実際の講演は動画が埋め込まれていた)。右側は直径300mmのシリコン・ウエハー全体にインプリント技術でパターンを転写した後に撮影した写真(クリックで拡大)