ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（3）〜EUV露光装置の開発史

4種類の評価結果をまとめたスライド。左上は、ウエハー内の焦点位置が12nm未満の誤差でそろったことを示す。右上は、装置間の重ね合わせ（オーバーレイ）誤差が4nm未満であったことを示す。左下は、ウエハー内で22nmのパターンに対するCDU（誤差）が1.5nm未満であったことを示す。右下は、ハーフピッチが18nmの水平な直線群を1カ月にわたって安定に解像できたことを示す（クリックで拡大）