ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（1）〜ArF液浸の限界

10nm世代のロジック配線を異なるリソグラフィ技術で形成した結果。左はArF液浸のトリプルパターニング（LELELE方式）で形成したもの。右はEUVのシングルパターニングで形成したもの。EUV露光装置には、ASMLが開発した装置を使用した（クリックで拡大）