次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(4)〜CMOSの実現手法と試作例 n型InGaAsとp型GeのCMOSデバイス(インバータ論理ゲート)を試作した研究成果の概要 (クリックで拡大) 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan