次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（4）〜CMOSの実現手法と試作例

n型InGaAsとp型SiGeによるCMOS構造の模式図（左）と、試作したCMOS構造の断面観察像（右） （クリックで拡大） 出典：産業技術総合研究所